MLase準(zhǔn)分子激光器MLI-ARF 1000

MLase準(zhǔn)分子激光器MLI-ARF 1000 是半導(dǎo)體微加工、材料刻蝕及科研實驗領(lǐng)域的核心配套光源，適配嚴(yán)苛的工業(yè)與科研應(yīng)用場景。

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更新時間：2026-02-11
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品牌	Mlase

MLase準(zhǔn)分子激光器MLI-ARF 1000

MLase MLI-ARF 1000是一款面向工業(yè)精密加工與科研設(shè)計的ArF準(zhǔn)分子激光器，以氟化氬為工作氣體，輸出193 nm深紫外光，單脈沖能量達1000 mJ，兼顧高能量輸出與精準(zhǔn)的光束控制，是半導(dǎo)體微加工、材料刻蝕及科研實驗領(lǐng)域的核心配套光源，適配嚴(yán)苛的工業(yè)與科研應(yīng)用場景。

核心技術(shù)參數(shù)

參數(shù)類別	技術(shù)規(guī)格
輸出波長	193 nm（ArF氣體介質(zhì)）
脈沖參數(shù)	單脈沖能量1000 mJ，重復(fù)頻率1-500 Hz可調(diào)
穩(wěn)定性	能量穩(wěn)定性（RMS）≤2%，光束指向穩(wěn)定性<500 µrad
冷卻方式	高效主動水冷，支持連續(xù)72小時穩(wěn)定運行

MLase準(zhǔn)分子激光器MLI-ARF 1000

核心設(shè)計與應(yīng)用特性

該激光器采用金屬-陶瓷復(fù)合諧振腔結(jié)構(gòu)，放電區(qū)電場均勻性＞95%，確保脈沖能量輸出穩(wěn)定；腔內(nèi)棱線濾波器將光譜帶寬壓縮至＜0.8 pm，滿足高精度光刻與刻蝕對窄線寬的需求。其193 nm短波長特性可實現(xiàn)0.1 µm級加工精度，熱影響區(qū)＜50 nm，適配PI膜、LCP等高分子材料的冷加工，無碳化、無微裂紋缺陷。

在實際應(yīng)用中，該設(shè)備可適配12英寸晶圓微加工、TFT-LCD激光退火等工業(yè)場景，也可作為脈沖激光沉積（PLD）的核心光源用于功能薄膜制備；模塊化設(shè)計支持功率升級與光譜監(jiān)測功能拓展，整機電磁兼容符合工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)，可在復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定運行，為制造與科研實驗提供可靠的深紫外激光解決方案。

MLase準(zhǔn)分子激光器MLI-ARF 1000

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